Technological and Structural Solutions for High-Frequency, High-Power, and Optoelectronic Gallium Nitride Devices (مجلة العلوم الشاملة, 2026)
يتم في هذا البحث استعراض مزايا وعيوب استخدام نيتريد الغاليوم (GaN) مقارنةً بغيره من مواد أشباه الموصلات المستخدمة في الإلكترونيات الدقيقة. ويُبيَّن أن المقاومة الحرارية والكيميائية والإشعاعية العالية لنيتريد الغاليوم تُمكّن من تصنيع أجهزة تعمل عند درجات حرارة مرتفعة وفي ظروف قاسية، في حين تسهم الموصلية الحرارية العالية في تبسيط عملية تبريد المنطقة الفعّالة. كما أن الجمع بين الحركة العالية للإلكترونات وشدة مجال الانهيار الكهربائي المرتفعة يجعل نيتريد الغاليوم مادة مناسبة لتصنيع الترانزستورات عالية القدرة وعالية التردد وعالية التحمل الحراري. وتُعرض في البحث الحلول التصميمية والأساليب التكنولوجية الخاصة بتشكيل الأجهزة المعتمدة على نيتريد الغاليوم.
Keywords: gallium nitride, technology, device structure, sensor, modeling.